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5LP01C XB 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-50V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-70mA |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.018Ω @-40mA,-4.V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4--1.4V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
Description & Applications |
Features ? Low ON-resistance. ? High-speed switching. ? 2.5V drive. |
描述与应用 |
?低导通电阻。 ?高速开关。 ?2.5V驱动 |
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在线阅读 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
5LP01C |
XB |
SANYO |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
5LP01C |
XB |
SANYO |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
9700 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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5LP01M |
XB |
SANYO |
05+ |
SOT-323/MCP/SC-70 |
1500 |
三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-PNP |
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5LP02C |
XE |
SANYO |
05+ |
SOT-23/CP |
5460 |
三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-PNP |
查看 |
5LP02M |
XE |
SANYO |
05 |
SOT-323/SC70/MCP |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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5LP02M |
XE |
SANYO |
05+ |
SOT-323/SC70/MCP |
3000 |
场效应管FET |
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