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6HP04MH
 型号：  6HP04MH
 标记/丝印/代码/打字：  QB
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-323/SC70/MCP
 批号：  06+NOPB
 库存数量：  1100
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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6HP04MH QB 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -0.12A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 5.1Ω @-60mA,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.2--2.6V
耗散功率Pd Power Dissipation 480mW/0.48W
Description & Applications Features ? Low ON-resistance. ? Ultrahigh-speed switching. ? 4V drive.
描述与应用 ?低导通电阻。 ?超高速开关。 ?4V驱动器
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