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AO6704L
 型号：  AO6704L
 标记/丝印/代码/打字：  G4D
 厂家：  AOS
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSOP6
 批号：  05+
 库存数量：  30000
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET+DIODE
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AO6704L G4D 的参数
MOSFET 类型 Type N沟道 N-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 3.6A
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance 65m?@ VGS = 10V, ID = 3.6A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1~1.8V
DIODE 类型 Type 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
反向电压Vr Reverse Voltage 20V
平均整流电流Io Average Rectified Current 1.5A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 0.39V@IF=0.5A
耗散功率Pd Power Dissipation 780mW/0.78W
Description & Applications N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The AO6704 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Standard Product AO6702 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6704L is a Green Product ordering option. AO6704 and AO6704L are electrically identical
描述与应用 N沟道增强型场效应晶体管与肖特基二极管 概述 AO6704采用先进沟道技术，提供优良的R DS（ON）和栅极电荷低。肖特基二极管提供便利实施双向无阻塞交换，或DC-DC转换器应用。标准产品AO6704是无铅（符合ROHS＆索尼259规格）。 AO6704L是一种绿色产品订购选项。 AO6704和AO6704L电相同的
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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