关键字：

查询类型：型号  厂家  标记/丝印/代码  封装 

热门查询： HD74UH4066 XC6204F R1170H351B 02DZ12-X MIC5365-2.8 2SC5555ZD-03TR S88 2SC5585H PST3620UL ST-2TA S2C MBD330DWT1 PMEG2015EJ R3130N44BC SRFIC103T1 RSZ STM80 ST-2TA103 S91 S913T
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 Stock Inventory 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　

产品目录
 二极管Diodes (14264)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) (10359)
 场效应管FET (3757)
 电阻Resistor (4413)
 电源管理ICPower Management IC/PMIC (7298)
 集成电路ICIntegrated Circuit（IC） (3418)
 电感Inductor/Coil/Choke (5942)
 电容Capacitor (1615)
 磁珠Ferrite Bead (1041)
 晶振滤波Crystal Oscillator and Filter (1402)
 未分类 (1992)
 保险管FUSE (978)
 晶优晶振 (171)
 测试点Test Point (86)
 标记 (454)
 连接器 (39)
 可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR (226)
 衰减器Attenuator (19)
 电阻 (5)
 晶振 (6)
 晶振滤波 (8)
 光电器件Optoelectronic (51)
 集成收发器 (1)
 编码器Switch (61)
 极管Diodes (1)
 磁珠Ferrite (2)
 测试点 (3)
 片式天线 (14)
 集成电 (1)
 场效应管 (1)
 NATIONAL (1)
 模块 (1)
 电源管理IC (1)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT (2)
 三极管 (1)
   
AO6800
 型号：  AO6800
 标记/丝印/代码/打字：  HO
 厂家：  AOS
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSOP6
 批号：  03+
 库存数量：  4000
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
 技术文档PDF：  在线阅读
　 　
 在线购买
(Search Stock)		 Send order to our E_mail:
saler28@mark-ic.com

AO6800 HO 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 3.4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 88m?@ VGS = 2.5V,ID =2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.6~1.4V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.15W
Description & Applications Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications
描述与应用 双N沟道增强型场效应晶体管 概述 AO6800采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V。这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用
技术文档PDF下载 在线阅读

　

 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
AO6376 JIAU AOS 05+ SOT-23/SC-59 3200 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
AO6400 DO AOS 05+NOPB1K SOT-163/SOT23-6/TSOP6 1800 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看
AO6401 D1 AOS 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 500 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
ao6401 d1 AOS 02+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
AO6402 D2ZD AOS 05/07NOPB SOT-23/SC-59 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
AO6402 D2 AOS 11+nopb2400 SOT-23/SC-59 10300 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
AO6405 D5 AOS 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 200 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
AO6408 D8R15 AOS 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 200 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看
AO6604 F4GD AOS 04+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
AO6702L G2L AOS 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 30000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET+DIODE 查看
AO6702L G2L AOS 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET+DIODE 查看
AO6704L G4D AOS 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 30000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET+DIODE 查看
AO6704L G4D AOS 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET+DIODE 查看
AO6800 hovd AOS 06NOPB SOT-163/SOT23-6/TSOP6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看
AO6800 HO AOS 03+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 4000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看
AO6602 AOS 10+NOPB SOT-163/SOT23-6/TSOP6 3000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
AO6602 AOS 10+ROHS SOT-163/SOT23-6/TSOP6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看

　
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 Stock Inventory 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　
深圳市新亚洲电子市场茂业电子商行
公司地址: 深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C035房 电话: 0755-88869068（4线）
企业QQ: 800036813 点击这里给我发消息 传真: 0755-61306100
电子邮箱:800036813@qq.com  


Copyright (c) 1995-2012  All rights reserved.   粤ICP备12037407号


营业执照