APM2307AC-TR MO 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.1Ω @-3A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1--3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET -30V/-3A , RDS(ON)=100m?(typ.) @ VGS=-10V RDS(ON)=140m?(typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Reliable and Rugged SOT-23 Package |
| 描述与应用 |
P沟道增强型MOSFET -30V/-3A，RDS（ON）=100MΩ（典型值）@ VGS=-10V RDS（ON）=140mΩ（典型值）@ VGS=-4.5V 超级高密度电池设计极 低RDS（ON） 可靠耐用 SOT-23封装 |
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