AT-31033 310 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
11V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
5.5V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
16mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
5GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor Features ? High Performance Bipolar Transistor Optimized for Low Current, Low Voltage Operation ? 900 MHz Performance: AT-31011: 0.9 dB NF, 13 dB GA AT-31033: 0.9 dB NF, 11 dB GA ? Characterized for End-OfLife Battery Use (2.7 V) ? SOT-143 SMT Plastic Package ? Tape-And-Reel Packaging Option Available |
| 描述与应用 |
低电流，高性能 NPN硅双极晶体管 特点 ?高性能双极晶体管低电流，低电压操作而优化 ?900兆赫绩效： AT-31011：0.9分贝，13分贝（NF）GA AT-31033：0.9分贝，11分贝（NF）GA ?其特点为的最终OfLife电池使用（2.7 V） ?采用SOT-143封装的SMT塑料包装 ?磁带和卷轴包装选项可用 |
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