AT-32011-TR1 320G 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
11V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
5.5V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
32 mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
2.4GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor Features ? High Performance Bipolar Transistor Optimized for Low Current, Low Voltage Operation ? 900 MHz Performance: AT-32011: 1 dB NF, 14 dB GA AT-32033: 1 dB NF, 12.5 dB GA ? Characterized for End-OfLife Battery Use (2.7 V) ? SOT-23 and SOT-143 SMT Plastic Packages ? Tape-And-Reel Packaging Option Available |
| 描述与应用 |
低电流，高性能 NPN硅双极晶体管 特点 ?高性能双极晶体管优化 低电流，低电压操作 ?900兆赫绩效： AT-32011：1分贝，14分贝（NF）GA AT-32033：1分贝，12.5分贝（NF）GA ?其特点为的最终OfLife电池使用（2.7 V） ?SOT-23和SOT-143 SMT塑料封装 ?磁带和卷轴包装选项可用 |
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