BB305CEW-TL EW 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
25MA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
100MW/0.1W |
| Description & Applications |
* Built in Biasing Circuit MOS FET IC .
* VHF RF Amplifier.
* Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.
* Superior cross modulation characteristics.
* High gain; (PG = 28 dB typ. at f = 200 MHz).
* Wide supply voltage range; Applicable with 5 V to 9 V supply voltage.
* Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C = 200 pF, Rs = 0 conditions. |
| 描述与应用 |
*内置偏置电路MOS FET的IC。
*甚高频RF放大器。
*内置偏置电路降低零部件的成本与PC板空间。
*高级交叉调制特性。
*高增益（PG=28 dB（典型值），在f=200兆赫）。
*宽电源电压范围，适用与5 V至9 V电源电压。
*耐ESD;内置ESD吸收二极管。承受高达200V在C=200 PF，RS=0的条件。 |
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