BC856BW 3B 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?65V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?100mA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
125~475 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-250mV/-0.25V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
PNP general purpose transistors FEATURES ? Low current (max. 100 mA) ? Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification. |
| 描述与应用 |
PNP通用晶体管 特点 ?低电流（最大100 mA） ?低电压（最大65 V）。 应用 ?通用开关和放大。 |
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