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BC858A
 型号：  BC858A
 标记/丝印/代码/打字：  3J
 厂家：  CENTRAL
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  9000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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BC858A 3J 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?30V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?100mA/-0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 125~250
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage ?650mV/-0.65V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC856,BC857 and BC858 Series types are PNP Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications.
描述与应用 表面贴装PNP硅晶体管 产品描述： 中央半导体BC856，BC857和BC858系列类型PNP硅 晶体管制造外延平面工艺，环氧树脂模压在一个表面贴装封装，专为一般用途的开关和放大器应用。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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