BCP56-16T1 BH-16 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
130MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.5W |
| Description & Applications |
MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT Features ? Pb?Free Package is Available ? High Current: 1.0 Amp ? The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die ? Available in 12 mm Tape and Reel Use BCP56T1 to order the 7 inch/1000 unit reel Use BCP56T3 to order the 13 inch/4000 unit reel ? PNP Complement is BCP53T1 |
| 描述与应用 |
中功率NPN硅高电流晶体管 表面贴装 特点 ?高电流：1.0安培 SOT-223封装，可以使用波或回流焊接。所形成的线索在焊接热应力吸收，消除模具损坏的可能性 ?可在12毫米编带和卷轴 使用BCP56T1到责令7 inch/1000的单位卷轴 使用BCP56T3责令13 inch/4000单位卷轴 ?PNP补语是BCP53T1 |
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