BCP69-16 BCP69 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?32V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
40MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1.35W |
| Description & Applications |
PNP medium power transistor FEATURESFEATURES FEATURES ? High current (max. 1 A) ? Low voltage (max. 20 V). APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification ? Power applications such as audio output stages. |
| 描述与应用 |
PNP中等功率晶体管 特点 ?高电流（最大1 A） ?低电压（最大20 V）。 应用 ?通用开关和放大 ?电源应用，如音频输出级 |
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