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BCV29
 型号：  BCV29
 标记/丝印/代码/打字：  EF
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  达林顿Darlington
    NPN
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BCV29 EF 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-EmitterVoltage(VCEO) 30V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 500mA/0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 220MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 20000 @ 5V,0.1A
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage 1V
耗散功率Pc Power Dissipation 1.3W
Description & Applications ? High current (max. 500 mA) ? Low voltage (max. 60 V) ? High DC current gain (min. 20000). ? Preamplifier input applications. ? NPN small-signal Darlington transistor in a surface mount SOT89 plastic package. ? PNP complements: BCV28。
描述与应用 ?高电流（最大500毫安） ?低电压（最大60 V） ?高直流电流增益（最小值20000）。 ?前置放大器输入的应用。 ?NPN小信号达林顿晶体管在一个表面贴装SOT89塑料包装。 ?PNP补充：BCV28。
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