BDP955 BDP955 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
140V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
120V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
15 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
800mV/0.8V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
3W |
| Description & Applications |
NPN Silicon AF Power Transistor For AF driver and output stages High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BDP952 ... BDP956 (PNP) |
| 描述与应用 |
AF功率晶体管NPN硅 对于AF驱动器和输出级 高集电极电流 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压 可互补类型：BDP952... BDP956（PNP） |
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