关键字：

查询类型：型号  厂家  标记/丝印/代码  封装 

热门查询： HD74UH4066 XC6204F R1170H351B 02DZ12-X MIC5365-2.8 2SC5555ZD-03TR S88 2SC5585H PST3620UL ST-2TA S2C MBD330DWT1 PMEG2015EJ R3130N44BC SRFIC103T1 RSZ STM80 ST-2TA103 S91 S913T
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 Stock Inventory 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　

产品目录
 二极管Diodes (14264)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) (10359)
 场效应管FET (3757)
 电阻Resistor (4413)
 电源管理ICPower Management IC/PMIC (7298)
 集成电路ICIntegrated Circuit（IC） (3418)
 电感Inductor/Coil/Choke (5942)
 电容Capacitor (1615)
 磁珠Ferrite Bead (1041)
 晶振滤波Crystal Oscillator and Filter (1402)
 未分类 (1992)
 保险管FUSE (978)
 晶优晶振 (171)
 测试点Test Point (86)
 标记 (454)
 连接器 (39)
 可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR (226)
 衰减器Attenuator (19)
 电阻 (5)
 晶振 (6)
 晶振滤波 (8)
 光电器件Optoelectronic (51)
 集成收发器 (1)
 编码器Switch (61)
 极管Diodes (1)
 磁珠Ferrite (2)
 测试点 (3)
 片式天线 (14)
 集成电 (1)
 场效应管 (1)
 NATIONAL (1)
 模块 (1)
 电源管理IC (1)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT (2)
 三极管 (1)
   
BF1205
 型号：  BF1205
 标记/丝印/代码/打字：  L4
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-363/SC70-6
 批号：  0652/07+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
 技术文档PDF：  在线阅读
　 　
 在线购买
(Search Stock)		 Send order to our E_mail:
saler28@mark-ic.com

BF1205 L4 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 10V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 6~10V/6~10V
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.3~1V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Dual N-channel dual gate MOS-FET FEATURES Two low noise gain controlled amplifiers in a single package. One with a fully integrated bias and one with a partly integrated bias Internal switch reduces the number of external components Superior cross-modulation performance during AGC High forward transfer admittance High forward transfer admittance to input capacitance ratio. APPLICATIONS Gain controlled low noise amplifiers for VHF and UHF applications with 5 V supply voltage, such as digital and analog television tuners and professional communications equipment.
描述与应用 双N沟道双栅MOS-FET 特点 两个低噪声增益控制放大器，在单个封装中。与一个完全集成的偏置和部分集成的偏置 内部开关减少了外部元件数量 高级交叉调制性能在AGC 高正向转移导纳 高正向转移导纳输入电容比。 应用 增益控制的低噪声放大器，VHF和UHF应用与5 V电源电压，如数字和模拟电视调谐器和专业的通信设备。
技术文档PDF下载 在线阅读

　

 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
BF1201R LB NXP/PHILIPS ROHS 33R07+28R06 SOT-143 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
BF1201WR LA NXP/PHILIPS 08NOPB SOT-343/SC70-4 30000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
BF1201WR LA NXP/PHILIPS 08NOPB SOT-343/SC70-4 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
BF1202WR LE NXP/PHILIPS 05+ SOT-343/SC70-4 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
BF1205 L4 NXP/PHILIPS 06+ROHS SOT-363/SC70-6 56600 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看
BF1205 L4 NXP/PHILIPS 0652/07+ROHS SOT-363/SC70-6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看
BF1205C M6 NXP/PHILIPS 05+ SOT-363/SC70-6 3000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看
BF1202WR LE NXP/PHILIPS 08+ROHS SOT-343/SC70-4 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
BF1202R LE NXP/PHILIPS 0348NOPB SOT-143 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
BF1208 2L NXP/PHILIPS 09NOPB SOT-563 100 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看

　
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 Stock Inventory 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　
深圳市新亚洲电子市场茂业电子商行
公司地址: 深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C035房 电话: 0755-88869068（4线）
企业QQ: 800036813 点击这里给我发消息 传真: 0755-61306100
电子邮箱:800036813@qq.com  


Copyright (c) 1995-2012  All rights reserved.   粤ICP备12037407号


营业执照