BFG135A BFG135 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA/0.15A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
4.5Ghz~6Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
NPN Silicon RF Transistor ? For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications systems up to 2 GHz at collector currents from 70mA to 130mA ? Power amplifiers for DECT and PCN systems ? Integrated emitter ballast resistor ? fT = 6 GHz |
| 描述与应用 |
NPN硅RF晶体管 ?对于低-失真的的的宽带输出放大器中 ??天线和电信中的阶段 ??高达在集电极电流从至2 GHz的系统中 ??70mA到130毫安 ?DECT和PCN系统上的的电源放大器，适用于 ?集成的的发射极镇流器电阻器 ?fT的=6 GHz的 |
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