BFG410W P4 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
10V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
4.5V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
10-12mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
22GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~120 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
54mW |
| Description & Applications |
? NPN 22 GHz wideband transistor ? Very high power gain ? Low noise figure ? High transition frequency ? Emitter is thermal lead ? Low feedback capacitance. ? RF front end ? Wideband applications, e.g. analog and digital cellular telephones, cordless telephones (PHS, DECT, etc.) ? Radar detectors ? Pagers ? Satellite television tuners (SATV) ? High frequency oscillators. |
| 描述与应用 |
?NPN22 GHz的宽带晶体管 ?非常高的功率增益 ?低噪声系数 ?高转换频率 ?发射器是热的铅 ?低反馈电容。 ?RF前端 ?宽带应用，例如模拟和数字蜂窝 电话，无线电话（PHS，DECT等） ?雷达探测器 ?寻呼机 ?卫星电视调谐器（SATV） ?高频率的振荡器。 |
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