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BFG591
 型号：  BFG591
 标记/丝印/代码/打字：  BFG591
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-223/SC-73
 批号：  04+
 库存数量：  31
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFG591 BFG591 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 15V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 200mA/0.2A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 7GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 60~250
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 2W
Description & Applications NPN 7 GHz wideband transistors FEATURES ? High power gain ? Low noise figure ? High transition frequency ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS Intended for applications in the GHz range such as MATV or CATV amplifiers and RF communications subscriber equipment.
描述与应用 NPN7 GHz的宽带晶体管 特点 ?高功率增益 ?低噪声系数 ?高转换频率 ?黄金金属确保卓越的可靠性。 应用 拟在GHz范围内的应用程序，如MATV或CATV放大器和射频通信用户设备。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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