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BFS17W
 型号：  BFS17W
 标记/丝印/代码/打字：  E1
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFS17W E1 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 25V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 15V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 25mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 2.5GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 20~150
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 400mV/0.4V
耗散功率Pc Power Dissipation 280mW/0.28W
Description & Applications NPN Silicon RF Transistor For broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA
描述与应用 NPN硅RF晶体管 对于宽带放大器高达1 GHz的集电极电流从1 mA到20 mA
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