BFT92W W1 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?35mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
4GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
|
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
PNP 4 GHz wideband transistor FEATURES ? High power gain ? Gold metallization ensures excellent reliability ? SOT323 (S-mini) package. APPLICATION It is intended as a general purpose transistor for wideband applications up to 2 GHz. |
| 描述与应用 |
PNP4 GHz的宽带晶体管 特点 ?高功率增益 ?黄金金属确保卓越的可靠性 ?SOT323（S-迷你）封装。 应用 它的目的是作为一个通用的晶体管为高达2 GHz的宽带应用。 |
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