茂业电子---BR9016ARFVM-WTR的库存详细介绍

型号：	BR9016ARFVM-WTR
标记/丝印/代码/打字：	16A
厂家：	ROHM
封装：	MSOP8
批号：	05+
库存数量：	150
所属分类：	集成电路ICIntegrated Circuit（IC）存储器Memory
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BR9016ARFVM-WTR 16A 的参数
存储器格式 Format - Memory	EEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial
存储器类型 Memory Type	EEPROM
存储容量 Memory Size
速度 Speed	2MHz
接口 Interface	8K/串行 8K/Serial
电源电压 Voltage - Supply	2.7 V ~ 5.5 V
Description & Applications	8k, 16k bit EEPROMs for direct connection to serial ports The BR9080A and BR9016A series are serial EEPROMs that can be connected directly to a serial port and can be erased and written electrically. Writing and reading is performed in word units, using four types of operation commands. Communication occurs though CS, SK, DI, and DO pins, WC pin control is used to initiate a write disabled state, enabling these EEPROMs to be used as one-time ROMs. During writing, operation is checked via the internal status check. !Applications Movie, camera, cordless telephones, car stereos, VCRs, TVs, DIP switches, and other battery-powered equipment requiring low voltage and low current Features 1) BR9080AF-W / ARFV-W / ARFVM-W (8k bit) : 512 words ×16 bits BR9016AF-W / ARFV-W / ARFVM-W (16k bit) : 1024 words × 16bits 2) Single power supply operation 3) Serial data input and output 4) Automatic erase-before-write 5) Low current consumption Active (5V) : 5mA (max.) Standby (5V) : 3μA (max.) 6) Noise filter built into SK pin 7) Write protection when VCC is low Inhibition on inadvertant write with the WC pin. 8) SOP8 / SSOP-B8 / MSOP8 9) High reliability CMOS process 10) 100,000 ERASE / WRITE cycles 11) 10 years Data Retention
描述与应用	8K，16K位EEPROM的串行端口直接连接到 BR9080A BR9016A系列，可以直接连接到一个串行端口和电可擦除和写入的串行EEPROM。写和读以字为单位进行，使用四种类型的操作命令。通讯发生虽然CS，SK，DI，DO引脚，用于启动写禁止状态，使WC引脚控制这些被用作EEPROM的一次性光盘。在写作过程中，操作是通过内部状态检查检查。应用！电影，摄像头，无绳电话，汽车音响，录像机，电视，DIP开关，和其他电池供电设备需要低电压和低电流 1）W / BR9080AF ARFV-W/-W ARFVM的（8K一点）：512字×16位 W / BR9016AF ARFV W /：-W ARFVM（16k位）：1024字×16位 2）单电源工作 3）串行数据输入和输出 4）自动擦除前写 5）低电流消耗活动（5V）：5MA（最大）待机（5V）：3μA（最大） 6）噪声滤波器内置SK针 7）写保护，当VCC低抑制搏击写与WC销。 8）SOP8/ SSOP-B8/ MSOP8 9）高可靠性的CMOS工艺 10）100,000擦除/写周期 11）10年数据保存期
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