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BS870E9
 型号：  BS870E9
 标记/丝印/代码/打字：  S70
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  600
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BS870E9 S70 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 250mA/0.25A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.0-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications Low On-Resistance ? Low Gate Threshold Voltage ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant "Green" Device (Notes 1 & 2)
描述与应用 低导通电阻 ?低栅极阈值电压 ?低输入电容 ?开关速度快 ?低输入/输出漏 ?铅，卤素和无锑，符合RoHS标准的“绿色” 设备（附注1及2）
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