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BSL211SP
 型号：  BSL211SP
 标记/丝印/代码/打字：  PB
 厂家：  INFINEON
 封装：  SOT-163
 批号：  06NOPB2200
 库存数量：  5500
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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BSL211SP PB 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±12V
最大漏极电流Id Drain Current -4.7A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 94mΩ~114mΩ@ VGS=-2.5V, ID=-3.7A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.6v~-1.2v
耗散功率Pd Power Dissipation
Description & Applications * OptiMOS -P Small-Signal-Transistor. * P-Channel. * Enhancement mode. * Super Logic Level (2.5 V rated). * 150°C operating temperature. * Avalanche rated. * dv/dt rated.
描述与应用 * OptiMOS-P小信号晶体管。 * P-通道。 * 增强模式。 * 超级逻辑电平（2.5 V额定）。 * 150°C的工作温度。 * 额定雪崩。 * dv / dt的评级。
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