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BSS209PW
 型号：  BSS209PW
 标记/丝印/代码/打字：  X3
 厂家：  INFINEON
 封装：  SOT-323/SC70
 批号：  05NOPB
 库存数量：  1920
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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BSS209PW X3 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -0.58A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.369Ω @-580mA,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.6--1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 520mW/0.52W
Description & Applications ? P-Channel ? Enhancement mode ? Super Logic Level (2.5 V rated) ? 150°C operating temperature ? Avalanche rated ? dv/dt rated
描述与应用 ?P沟道 ?增强模式 ?超级逻辑电平（2.5 V额定） ?150°C工作温度 ?额定雪崩 ?dv / dt的额定
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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