BTD2040N3 BS 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
45V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
25V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
150~450 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
225mW/0.225W |
| Description & Applications |
Low Vce（sat） NPN Epitaxial Planar Transistor Features The BTD2040N3S is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), Pb-free lead plating and halogen-free package |
| 描述与应用 |
低VCE（sat）的NPN外延平面晶体管 特点 是专为通用低频功率放大器应用BTD2040N3S。 低VCE（饱和）， 无铅引脚电镀和无卤素封装 |
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