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BZM55B6V8-TR
 型号：  BZM55B6V8-TR
 标记/丝印/代码/打字：  
 厂家：  VISHAY
 封装：  Micro MELF-6v8
 批号：  04+
 库存数量：  2819
 所属分类：  二极管Diodes
  稳压二极管/齐纳二极管Zener Diodes
    单管Single
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BZM55B6V8-TR  的参数
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小 min. 6.66V
平均 Typ. 6.8V
最大 max. 6.94V
误差 Tolerance 2%
最大齐纳阻抗Zz(Ω) Dynamic Impedance 8Ω/ohm
最大反向漏电流IR(uA) Reverse Current 2uA
最大耗散功率Pd Power dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise
描述与应用 硅外延平面Z-二极管 低反向电流水平 高的稳定性 低噪音
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