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CEH2311
 型号：  CEH2311
 标记/丝印/代码/打字：  114R3
 厂家：  NIPPON
 封装：  TSOP-6
 批号：  05+
 库存数量：  1500
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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CEH2311 114R3 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -3.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 97m?@ VGS = 2.5V, ID = 3.7A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.6--1V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -20V, -3.5A, RDS(ON)= 85m? @VGS = -4.5V RDS(ON)= 130m? @VGS = -2.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable Lead free product is acquired TSOP-6 package
描述与应用 P沟道增强型场效应晶体管 -20V，3.5A，RDS（ON）=85mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）=130mΩ@ VGS=-2.5V 高密度电池设计极低的RDS（ON） 坚固可靠 无铅产品可用 TSOP-6封装
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