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CES2302 23 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8v |
最大漏极电流Id
Drain Current |
3A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.072Ω/Ohm 3.6A,4.5V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
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耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
Description & Applications |
20V, 3.0A, RDS(ON)= 72mW @VGS = 4.5V. RDS(ON)= 110mW @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable. SOT-23 package. |
描述与应用 |
20V,3.0A, RDS(ON)=72MW@ VGS= 4.5V。 RDS(ON)=110mW的@ VGS=2.5V。 高密度电池设计极低的RDS(ON) 坚固,可靠。 SOT-23封装 |
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在线阅读 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
CES2302 |
23 |
TAIWAN |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2750 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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CES301G95DCB000 |
1A3 |
MURATA |
05+ |
SOT |
500 |
集成电路ICIntegrated Circuit(IC)-其它Other |
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RT9182GCES |
3C |
RICHTEK |
05+ |
SOT-163/SOT23-6 |
0 |
电源管理ICPower Management IC/PMIC-电压调整器/稳压Voltage Regulator-低压差LDOLow Dropout (LDO) |
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CES520 |
RA |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOD-523/SC-79/ESC/0603 |
170000 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
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CES520 |
RA |
TOSHIBA |
12+80Krohs 11+16Krohs |
SOD-523/SC-79/ESC/0603 |
183950 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
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CES521 |
RB |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOD-523/SC-79/ESC/0603 |
300000 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
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CES521 |
RB |
TOSHIBA |
11+rohs |
SOD-523 |
55980 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
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CES2324 |
248R |
CET |
08+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
12000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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