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CPH6406 KF 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
210m?@ VGS = 4V, ID = 1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1~2.4V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.6W |
| Description & Applications |
N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features · Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 4V drive. |
| 描述与应用 |
N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 特点 ?·低导通电阻。 ?·超高速开关。 ?·4V驱动器。 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| CPH6401 |
KA |
SANYO |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/CPH6 |
16700 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| CPH6401 |
ka |
SANYO |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/CPH6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| CPH6402 |
KB |
SANYO |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/CPH6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| CPH6402 |
KB |
SANYO |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/CPH6 |
4700 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| CPH6403 |
KC |
SANYO |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/CPH6 |
6400 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| CPH6406 |
KF |
SANYO |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/CPH6 |
2300 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
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