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CHDTC144EEPT
 型号：  CHDTC144EEPT
 标记/丝印/代码/打字：  WE
 厂家：  CHENMKO
 封装：  sot-523
 批号：  05+
 库存数量：  2800
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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CHDTC144EEPT WE 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 47KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 68
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.15W/150mW
Description & Applications Features ? Small surface mounting type ? High current gain ? Low collector-emitter saturation ? High saturation current capability ?Internal isolated NPN transistors in one package ?Built in bias resistor
描述与应用 特性 ?小型表面贴装型 ?高电流增益 ?低集电极 - 发射极饱和 ?高饱和电流能力 ?内部隔离在一个封装的NPN晶体管 ?内置偏置电阻
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