DTC144EUPT WE 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
47KΩ/Ohm |
| 基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
47KΩ/Ohm |
| 电阻比(R1/R2)
Resistance Ratio |
1 |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
68 |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.2W/200mW |
| Description & Applications |
Features Small surface mounting type.(SC-70/SOT-323) High current gain Suitable for high packing density Low colloector-emitter saturation Internal isolated NPN transistors in one package Built in bias resistor(R1=477k?,Typ.) |
| 描述与应用 |
特性 小型表面贴装型（SC-70/SOT-323） 高电流增益 适用于高包装密度 低j集电极发射极饱和 内部分离NPN晶体管在一个封装中 内置偏置电阻（R1=477kΩ，典型值。） |
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