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DTDS14GP
 型号：  DTDS14GP
 标记/丝印/代码/打字：  SO
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-89/MPT3
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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DTDS14GP SO 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 2A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 10KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 1500
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 300MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.5W/500mW
Description & Applications Features 1)High gain,hFE=1500(Typ.) 2) Low Vce(sat). (Typ. 0.16V ) 3) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L-load (an inductive load).
描述与应用 特性 1）高增益，HFE=1500（典型值） 2）低Vce（sat）。 （典型0.16V） 3）内置齐纳二极管提供了有力保护防止反向浪涌低负载（感性负载）。
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