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EC3A01B-V4A-TL
 型号：  EC3A01B-V4A-TL
 标记/丝印/代码/打字：  V
 厂家：  SANYO
 封装：  ECSP1006-3
 批号：  05+
 库存数量：  39450
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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EC3A01B-V4A-TL V 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 0.14~0.24ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.2~-1.2v
耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications ?N-Channel Silicon Junction FET Features ? Ultrasmall (1006 size), thin (0.5mm) leadless package. ? Especially suited for use in electret condenser microphone for audio equipments and telephones. ? Excellent voltage characteristics. ? Excellent transient characteristics. ? Adoption of FBET process.
描述与应用 ?N沟道硅结型场效应管 特点 ?超小（1006尺寸），薄（0.5mm）的无铅封装。 特别适合使用的驻极体电容传声器的音响设备和电话。 ?优秀的电压特性。 ?出色的瞬态特性。 ?通过过程FBET。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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EC30LA02 U2 NIHON 05+ SMA/DO-214AC 15000 二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single 查看
EC30LB02 U2 NIHON 05+ SMA/DO-214AC 3000 二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single 查看
EC31QS03L T1 NIHON 06+ROGS SMA/DO-214AC 7500 二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single 查看
EC31QS03L T1 NIHON 10+ROHS SMA/DO-214AC 143699 二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single 查看
EC31QS04 T3 NIHON 06+16.5Knopb SMA/DO-214AC 0 二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single 查看
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