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FA1A4P
 型号：  FA1A4P
 标记/丝印/代码/打字：  L24
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  2000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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FA1A4P L24 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 0.212765957
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 85-370
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation 0.2W/200mW
Description & Applications Features Resistors Built-in Type Complementary to FN1A4P
描述与应用 特性 内置电阻型 对管是FN1A4P
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