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FDC2512
 型号：  FDC2512
 标记/丝印/代码/打字：  512
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-163/SOT23-6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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FDC2512 512 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 150V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 1.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 475m?@ VGS = 6V, ID = 1.3A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 2~4V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.6W
Description & Applications 150V N-Channel Power Trench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed. Applications ? DC/DC converte Features ? 1.4 A, 150 V. RDS(ON) ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ? Low gate charge (8nC typ) ? High power and current handling capability ? Fast switching speed
描述与应用 150V N沟道功率沟槽MOSFET 概述 此N沟道MOSFET已专门设计，以提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或传统开关PWM控制器。它已被优化低栅极电荷，低RDS（ON）和快速开关速度。 应用 ?DC/ DC转换器具 特点 ?1.4 A，150 V的RDS（ON） ?高性能沟道技术极低的RDS（ON） ?低栅极电荷（8NC典型值） ?高功率和电流处理能力 ?开关速度快
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