FDC602P 602 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-5.5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
52m?@ VGS = -2.5V, ID = -4.4A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.6~-1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.6W |
| Description & Applications |
P-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced Power Trench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Applications ? DC-DC converters ? Load switch ? Power management Features ? Fast switching speed ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) |
| 描述与应用 |
P沟道2.5V额定功率沟道MOSFET 概述 此P沟道2.5V指定的MOSFET采用了坚固的门版本飞兆半导体的先进功率沟槽过程。它已被优化的电源管理应用广泛的栅极驱动电压（2.5V - 12V）。 应用 ?DC-DC转换器 ?负荷开关 ?电源管理 特点 ?开关速度快 ?高性能沟道技术极低的RDS（ON） |
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