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FDC6392S
 型号：  FDC6392S
 标记/丝印/代码/打字：  392
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-163/SOT23-6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET+DIODE
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FDC6392S 392 的参数
MOSFET 类型 Type P沟道 P-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -12V
最大漏极电流Id Drain Current -2.2A
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance 150m?@ VGS =4.5 V, ID =2.2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.6~-1.5V
DIODE 类型 Type 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
反向电压Vr Reverse Voltage 20V
平均整流电流Io Average Rectified Current 1A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 0.34V@IF=500mA
耗散功率Pd Power Dissipation 700mW/0.7W
Description & Applications 20V Integrated P-Channel Power Trench MOSFET and Schottky Diode General Description The FDC6392S combines the exceptional performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SSOT-6 package. This device is designed specifically as a single package solution for DC to DC converters. It features a fast switching, low gate charge MOSFET with very low onstate resistance. The independently connected Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC converter topologies. Features Low Gate Charge Compact industry standard Super SOT-6 package
描述与应用 集成的20V P沟道功率沟道MOSFET和肖特基二极管 概述 FDC6392S结合飞兆半导体的PowerTrench MOSFET技术，卓越的性能非常低正向压降肖特基势垒整流器SSOT-6封装。此设备是专门为一个单一封装解决方案，直流到直流转换器。它具有快速开关，低栅极电荷MOSFET具有极低的通态电阻。独立连接的肖特基二极管允许其使用的DC / DC转换器拓扑结构中的各种。 特点 低栅极电荷 超级紧凑型工业标准SOT-6封装
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