FDC642P 642 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.054Ω @-4A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4--1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.6W |
| Description & Applications |
? Rugged gate rating (±12V). ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ? SuperSOT TM-6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick). |
| 描述与应用 |
?坚固的门评级（±12V）。 ?高性能沟道技术极低的RDS（ON） ?的SuperSOT TM-6包装：占地面积小（小72％ 比标准的SO-8）;低调（1mm厚） |
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