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FDD6670A
 型号:  FDD6670A
 标记/丝印/代码/打字:  FDD6670A
 厂家:  FAIRCHILD
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  04+
 库存数量:  350
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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FDD6670A FDD6670A 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 6.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.010Ω/Ohm @1.3A,
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 7W
Description & Applications ? 66 A, 30 V. R DS(on)= 0.008 ? @ V GS= 10 V RDS(on)= 0.010 ? @ V GS = 4.5 V. ? Low gate charge (35nC typical). ? Fast switching speed. ? High performance trench technology for extremely low RDS(on)
描述与应用 ?66 A,30 V. R DS(ON)= 0.008Ω@ V GS = 10 V RDS(ON)= 0.010Ω@ V GS= 4.5 V。 ?低栅极电荷(35NC典型)。 ?快速开关速度。 ?高性能沟道技术极 低RDS(on)
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