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FDG312P
 型号：  FDG312P
 标记/丝印/代码/打字：  
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-363/SC70-6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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FDG312P  的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -8V
最大漏极电流Id Drain Current -1.2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 250m?@ VGS = -2.5V, ID = -1A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.4~-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 750mW/0.75W
Description & Applications P-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET General Description This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics applications. Applications ? Load switch ? Power management ? DC/DC converter Features ? Low gate charge. ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON). ? Compact industry standard SC70-6 surface mount package.
描述与应用 P沟道2.5V额定功率沟道MOSFET 概述 P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别是针对减少通态电阻，同时保持出色的开关性能低栅极电荷。这些器件非常适合用于便携式电子产品应用。 应用 ?负荷开关 ?电源管理 ?DC/ DC转换器 特点 ?低栅极电荷。 ?高性能沟道技术极低的RDS（ON）。 ?紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装。
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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FDG313N 13 FAIRCHILD 05+NOPN108K SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 384200 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
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FDG315N 15 FAIRCHILD 04+ SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 600 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
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FDG311N 11 FAIRCHILD 05+NOPB SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 3265 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看

　
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