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FDN336P
 型号：  FDN336P
 标记/丝印/代码/打字：  336
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  06+
 库存数量：  48000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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FDN336P 336 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±8V
最大漏极电流Id Drain Current -1.3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.12Ω @-1.3A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.4~1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Single P-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET . * -1.3 A, -20 V. RDS(ON)= 0.20 W @ VGS = -4.5 V RDS(ON) = 0.27 W @ VGS= -2.5 V. * Low gate charge (3.6 nC typical). * High performance trench technology for extremely low RDS(ON)..
描述与应用 单P沟道2.5V额定功率沟槽MOSFET。 *-1.3 A，​​-20 V. RDS（ON）= 0.20 W @ VGS=-4.5 V                       RDS（ON）=0.27 W@ VGS= -2.5 V。 *低栅极电荷（3.6 nC典型）。 *高性能沟道技术极低的RDS（ON）
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