FDN358P 358 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-1.5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.11Ω @-1.5A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1--2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
High power version of industry SOT-23 package: identical pin out to SOT-23; 30% higher power handling capability. High density cell design for extremely low RDS(ON) .Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. |
| 描述与应用 |
行业SOT-23封装的高功率版相同 引脚SOT-23;30％更高的功率处理能力。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力 |
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