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FDT434P
 型号：  FDT434P
 标记/丝印/代码/打字：  D434AF
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-223
 批号：  04+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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FDT434P D434AF 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -6A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.040Ω @-6A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.4--1V
耗散功率Pd Power Dissipation 3W
Description & Applications ? Low gate charge (5nC typical). ? Fast switching speed. ?High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ? High power and current handling capability.
描述与应用 ?低栅极电荷（典型5NC）。 ?快速开关速度。 ?高性能沟道技术极 低RDS（ON） ?高功率和电流处理能力
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