FDV305N 305 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
900mA/0.9A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.22Ω/Ohm 900mA,4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.6-1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This 20V N-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications. ? Low gate charge ? Fast switching speed ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) |
| 描述与应用 |
20V N-沟道PowerTrench MOSFET 概述 此20V N沟道MOSFET采用飞兆半导体的高 电压的PowerTrench过程。它已被优化为 电源管理应用。 ?低栅极电荷 ?开关速度快 ?高性能沟道技术极低B 的RDS（ON） |
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