FMG12 G12 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
600mA |
| Q1基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
2.2KΩ/Ohm |
| Q1基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
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| Q1电阻比(R1/R2)
Q1 Resistance Ratio |
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| Q2基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
2.2KΩ/Ohm |
| Q2基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
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| Q2电阻比(R1/R2)
Q2 Resistance Ratio |
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| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~600 |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
Features ?Emitter common(dual digital transistors) ?Includes Two DTC323T transistors in a single SMT package. ?low Vce(sat).ideal for muting circuit ?can be used with Ic=600mA |
| 描述与应用 |
特点 ?发射极普通的（双数字晶体管） ?包括两个DTC323T的晶体管在一个单一的SMT封装。 ?低Vce（sat）的静音电路的理想选择。 ?可以用IC=600毫安 |
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