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G2306
 型号：  G2306
 标记/丝印/代码/打字：  2306
 厂家：  GTM
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  07NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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G2306 2306 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12v
最大漏极电流Id Drain Current 5.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.03Ω/Ohm @5.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.38W
Description & Applications ?Capable of 2.5V gate drive ?Lower on-resistance ?Reliable and Rugged
描述与应用 能够在2.5V栅极驱动 低导通电阻 可靠耐用
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