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HAT1053M-EL
 型号：  HAT1053M-EL
 标记/丝印/代码/打字：  1053
 厂家：  RENESAS
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
 批号：  06+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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HAT1053M-EL 1053 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -5.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.034Ω @-3A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.4--1.4V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications Features ? Low on-resistance ? Low drive current ? High density mounting ? 2.5 V gate drive device
描述与应用 ?低导通电阻 ?低驱动电流 ?高密度安装 ?2.5 V门驱动装置
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