HN1B01F-GR 1AG 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V/50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V/50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-150mA/150mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
120MHz/150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-100mV/100mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW |
| Description & Applications |
Features ? TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Q1: ? High voltage and high current : VCEO = ?50 V, IC = ?150 mA (max) ? High hFE : hFE = 120~400 ? Excellent hFE linearity : hFE (IC = ?0.1 mA) / hFE (IC = ?2 mA) = 0.95 (typ.) Q2: ? High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) ? High hFE : hFE = 120~400 ? Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA) / hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) ? Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅PNP外延型硅NPN外延型（PCT工艺）（PCT工艺） Q1： ?高电压和高电流：VCEO=-50 V，IC= -150 mA（最大） ?高HFE：HFE=120?400 ?优秀的HFE线性：HFE（IC= -0.1毫安）/ HFE（IC=-2毫安）=0.95（典型值） Q2： ?高电压和高电流：VCEO=50 V，IC=150 mA（最大） ?高HFE：HFE=120?400 ?优秀的HFE线性：HFE（IC= 0.1毫安）/ HFE（IC= 2毫安）=0.95（典型值） ?音频频率通用放大器应用 |
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