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HN1C01FU-Y
 型号：  HN1C01FU-Y
 标记/丝印/代码/打字：  C1Y
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-363/US6
 批号：  05+ROHS6KM
 库存数量：  23977
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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HN1C01FU-Y C1Y 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 150mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 80MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 100mV
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW
Description & Applications Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) ? Small package (Dual type) ? High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) ? High hFE : hFE = 120~400 ? Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) ? Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
描述与应用 特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延型（PCT工艺） ?小型封装（双类型） ?高电压和高电流：VCEO= 50V，IC=150mA（最小值） ?高HFE：HFE=120?400 ?优异的线性度：（IC=0.1毫安）/ HFE（IC=2毫安）=0.95（典型值） ?音频通用放大器应用
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