HN1K02FU K1 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
50mA |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
40?@ VGS = 2.5V, ID =10mA |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5~1.5V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
Description & Applications |
High Speed Switching Applications Analog Switch Applications 2.5 V gate drive Low threshold voltage High speed Enhancement-mode Small package |
描述与应用 |
高速开关应用 模拟开关应用 2.5 V门极驱动器 低阈值电压 高速 增强模式 小型封装 |
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